فایل word طراحي پروفايل نا خالصي بهينه در ساختار ترانزيستور GaAs PHEMT

    —         —    

ارتباط با ما     —     لیست پایان‌نامه‌ها

... دانلود ...

بخشی از متن فایل word طراحي پروفايل نا خالصي بهينه در ساختار ترانزيستور GaAs PHEMT :


سال انتشار : 1394

نام کنفرانس یا همایش : کنفرانس بين المللي يافته هاي نوين پژوهشي درمهندسي برق و علوم کامپيوتر

تعداد صفحات :24

چکیده مقاله:

دراین مقاله طراحی پروفایل ناخالصی درترانزیستورهای PHEMT مورد بررسی قرارگرفته است به این منظور دوترانزیستور یکی باالایش یکنواخت ودیگری باالایش غیریکنواخت لایه ی سد درنظر گرفته شده و اثرتغییر مقدارناخالصی درترکیب سه تایی AlxGa1-xAs بررسی شده است بررسی ها نشان میدهد که باافزایش مقدارناخالصی لایه ی سد جریان درین بیشینه و گستره ی غیرصفر هدایت انتقالی افزایش می یابد که این افزایش برای فرکانسهیا قطع fTو fMAX تامقدار ناخالصی خاصی اتفاق می افتد و بعدازآن کاهش فرکانس قطع روی میدهد افزایش ناخالصی بیش از حد نیز سبب افزایش جریان انگلی می شود جداازتفاوت های دوشیوه ی الایش یکنواخت و غیریکنواخت که درکارهای قبلی بررسی شده است مقایسه نتایج شبیه سازی ها نشان داد درشیوه الایش یکنواخت برای داشتن فرکانس قطع بیشتر باید جریان درین و درنتیجه توان کاهش یابد و این درحالیست که درالایش غیریکنواخت همزمان بیشترین جریان به همراه فرکانس بیشینه بدست می آید

لینک کمکی